Новинки
Компания Avago Technologies представила новые микросхемы ALM-80110 и ALM-80210
подробнее >>
Сверхминиатюрные термокомпенсированные кварцевые генераторы
подробнее >>
GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices
подробнее >>
Силовой N-канальный МОП-транзистор NTMFS4927N компании ON Semiconductor
подробнее >>
Монолитные интегральные схемы СВЧ переключателей компании Hittite Microwave
подробнее >>
Все новинки
|
HIGH SPEED
HIGH SPEED или быстродействующие разъемы выпускаются с шагом между контактами
2 мм или с микрошагом (0,5; 0,635; 0,8 мм ). Контакты ножевые и штыревые
расположены в два ряда и вмонтированы в основание разъема. Разъемы HIGH
SPEED подразделяются на две подгруппы : Qstrip (типы QSE, QSS, QSH, QTE,
QTS,QTH), где контакты размещены линейно с одинаковым шагом , и Qpairs
(типы QSE-DP, QSS-DP, QSH-DP, QTE-DP, QTS-DP,QTH-DP; суффикс DP
обозначает дифференциальные пары ), где они размещены попарно с равным
шагом между парами . Разъемы Qpairs, благодаря оригинальным
технологическим решениям, обеспечивают соединения на сверхвысоких
частотах (СВЧ ) – до 5 ГГц . Количество сигнальных контактов может
составлять : при шаге 0,5 мм – от 60 до 300, при шаге 0,635 мм – от 50
до 250, при шаге 0,8 мм – от 40 до 200.
| |
Таблица основных параметров разъемов HIGH SPEED | QTH, QSH с шагом 0,5 мм
| Импеданс , Ом
| 50,6
| 50,7
| 51,8
| 53
| -
| -
| КСВ
| 1,01
| 1,05
| 1,15
| 1,25
| -
| -
| Ослабление , дБ
| -0,003
| -0,0214
| -0,1061
| -0,1731
| -
| -
| Уровень перекрестных помех, дБ
| -52,9
| -33,9
| -23,7
| -19,2
| -
| -
| Время задержки , пс
| 73,7
| 73,7
| 73,7
| 73,7
| -
| -
| QTH, QSH (-DP) c шагом 0,5 мм
| Импеданс , Ом
| 97,9
| 99,2
| -
| 101,7
| 103,9
| 104,5
| КСВ
| 1,08
| 1,05
| -
| 1,06
| 1,12
| 1,15
| Ослабление , дБ
| -0,010
| -0,18
| -
| -0,45
| -0,54
| -0,72
| Уровень перекрестных помех, дБ
| -46,2
| -47,96
| -
| -32,04
| -28,64
| -26,56
| Время задержки , пс
| 65
| 65
| -
| 65
| 65
| 65
| QTE, QSE (-DP) с шагом 0,80 мм
| Импеданс , Ом
| 99,2
| 101,6
| -
| -
| 104,5
| 103,7
| КСВ
| 1,05
| 1,00
| -
| -
| 1,15
| 1,11
| Ослабление , дБ
| -0,00
| -0,26
| -
| -
| -0,63
| -0,54
| Уровень перекрестных помех, дБ
| -60,0
| -34,9
| -
| -
| -30,2
| -29,1
| Время задержки , пс
| 68,0
| 68,0
| -
| 68,0
| 68,0
| 68,0
| |
|
Новости
Компания Silicon Laboratories представила серию Si51x
в которую входят кварцевые генераторы и кварцевые генераторы
подробнее >>Компания KEMET представила керамические чип-конденсаторы
предназначенные для монтажа на единую монолитную структуру.
подробнее >> С праздником 23 февраля
подробнее >>Генераторы с низкой G-чувствительностью
для военных и промышленных приложений
подробнее >>Cнижение цен на модели
драйверов светодиодов AIMTEC
подробнее >>
Все новости
|